Room-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of SiOCH films using tetraethoxysilane

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	YAMAOKA, K, YOSHIZAKO, Y, KATO, H, TSUKIYAMA, D, TERAI, Y, FUJIWARA, Y
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!