Comprehensive study on low-frequency noise and mobility in Si and SiGe pMOSFETs with high-k gate dielectrics and TiN gate

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2006-04, Vol.53 (4), p.836-843
Hauptverfasser:	VON HAARTMAN, Martin, GUNNAR MALM, B, ÖSTLING, Mikael
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Materials Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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