Oxygen precipitation in Czochralski grown silicon heat treated at 525 °C

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2006-03, Vol.21 (3), p.236-243
Hauptverfasser:	Cheung, J Y, Stewart, R J, May, R P
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Cross-disciplinary physics: materials science rheology Diffusion in solids Diffusion of impurities Exact sciences and technology Materials science Phase diagrams and microstructures developed by solidification and solid-solid phase transformations Physics Precipitation Transport properties of condensed matter (nonelectronic)
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