High uniformity enhancement- and depletion-mode InGaP/InGaAs pHEMTs using a selective succinic acid gate recess process

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2006-01, Vol.21 (1), p.55-59
Hauptverfasser:	Chiu, Hsien-Chin, Cheng, Chia-Shih, Shih, Yuan-Jui
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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