Temperature and wavelength dependence of recombination processes in 1.5μm InGaAlAs/InP-based lasers

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SWEENEY, S. J, MCCONVILLE, D, JIN, S. R, AHMAD, C. N, MASSE, N. F, BOUYSSOU, R.-X, ADAMS, A. R, HANKE, C
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Electronics Exact sciences and technology Fundamental areas of phenomenology (including applications) Lasers Optics Physics Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Semiconductor lasers laser diodes
Online-Zugang:	Volltext
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