Selective oxidation of tungsten-gate stacks in high-volume DRAM production

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	ROTERS, Georg, HAYN, Regina, KEGEL, Wilhelm, STORBECK, Olaf, FRIGGE, Steffen, FELDMEYER, Gerd, MEYER, Hans Joachim, SCHROER, Erwin
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Integrated circuits by function (including memories and processors) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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