Dipoles in SiO2: Border traps or not?

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	FLEETWOOD, D. M, RASHKEEV, S. N, LU, Z. Y, NICKLAW, C. J, FELIX, J. A, SCHRIMPF, R. D, PAUTELIDES, S. T
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Electronics Exact sciences and technology Interfaces Materials Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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