Effect of silicon nitride and silicon dioxide bonding on the residual stress in layer-transferred SOI

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	TIBERJ, A, CAMASSEL, J, PLANES, N, STOEMENOS, Y, MORICEAU, H, RAYSSAC, O
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Miscellaneous Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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