The origin of extended dislocations induced by high-dose ion implantation : Materials-related manufacturing issues in the nanochip era

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on semiconductor manufacturing 2005, Vol.18 (1), p.19-25
Hauptverfasser: TSUCHIYA, Norihiko, FUJII, Osamu, UMEZAWA, Kaori, IWASE, Masao, USHIKU, Yukihiro
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0894-6507
1558-2345