Numerical simulation of current–voltage characteristics of AlGaN/GaN HEMTs at high temperatures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2005-02, Vol.20 (2), p.188-192
Hauptverfasser:	Chang, Yuancheng, Tong, K Y, Surya, C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Physics
Online-Zugang:	Volltext
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