Mechanism of nitrogen-enhanced negative bias temperature instability in pMOSFET: Negative-Bias-Temperature Instability (NBTI) in MOS devices special sectio n

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronics and reliability 2005, Vol.45 (1), p.19-30
Hauptverfasser:	SHYUE SENG TAN, TU PEI CHEN, CHEW HOE ANG, LAP CHAN
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!