Control of epitaxial defects for optimal A1GaN/GaN HEMT performance and reliability

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	GREEN, D. S, GIBB, S. R, HOSSE, B, VETURY, R, GRIDER, D. E, SMART, J. A
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Defects and impurities in crystals microstructure Electronics Exact sciences and technology Field effect devices Linear defects: dislocations, disclinations Physics Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Structure of solids and liquids crystallography Transistors
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:	0022-0248 1873-5002