Growth and characterization of InGaN double heterostructures for optical devices at 1.5-1.7 μm communication wavelengths

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Veröffentlicht in:Physica status solidi. A. Applied research 2004-09, Vol.201 (12), p.2850-2854
Hauptverfasser: OHASHI, Tatsuo, KOUNO, Tetsuya, KAWAI, Mizue, KIKUCHI, Akihiko, KISHINO, Katsumi
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0031-8965
1521-396X
DOI:10.1002/pssa.200405107