High-performance InP/GaAsSb/InP DHBTs grown by MOCVD on 100 mm InP substrates using PH3 and AsH3

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of crystal growth 2004-07, Vol.267 (3-4), p.592-597
Hauptverfasser: LIU, H. G, WU, J. Q, TAO, N, FIRTH, A. V, GRISWOLD, E. M, MACELWEE, T. W, BOLOGNESI, C. R
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0022-0248
1873-5002
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2004.04.035