Molecular dynamics simulation of silicon sputtering: sensitivity to the choice of potential

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: THIJSSE, B. J, KLAVER, T. P. C, HADDEMAN, E. F. C
Format: Tagungsbericht
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0169-4332
1873-5584