Growth of SiC polytypes by the physical vapour transport technique : Silicon carbide

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of physics. Condensed matter 2004, Vol.16 (17), p.S1597-S1610
Hauptverfasser:	SEMMELROTH, K, SCHULZE, N, PENSL, G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Exact sciences and technology Physics
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:	0953-8984 1361-648X