Spin relaxation of 2D electron in Si/SiGe quantum well suppressed by applied magnetic field

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2004-04, Vol.19 (4), p.S390-S391
Hauptverfasser:	Wilamowski, Z, Jantsch, W
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Physics
Online-Zugang:	Volltext
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