Implantation angle dependent study of vacancy related defect profiles in ion implanted silicon

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	LAY, M. D. H, MCCALLUM, J. C, JAGADISH, C
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Electron states Elemental semiconductors Exact sciences and technology Impurity and defect levels Physics
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