Electrical properties of Si/SiO2/Si structures produced by direct bonding of pre-oxidized silicon wafers

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	FEDOTOV, A, SAAD, Anis M. H, ENISHERLOVA, K, MAZANIK, A, GORACHEV, B. G, TEMPER, E. M
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	rus
Online-Zugang:	Volltext
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