Influence of the Ge-concentration and RTA on the device performance of strained Si/SiGe pMOS devices

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Collaert, N., Verheyen, P., Meyer, K.D., Loo, R., Caymax, M.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences CMOS technology Electronics Epitaxial growth Etching Exact sciences and technology Fabrication Germanium alloys Germanium silicon alloys Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) MOS devices Photonic band gap Rapid thermal annealing Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Silicon germanium
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:
DOI:	10.1109/ESSDERC.2002.194920