Enhanced intrinsic gain (gm/gd) of PMOSFETs with a Si0.7Ge0.3 channel

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	LINDGREN, A.-C, HELLBERG, P.-E, VON HAARTMAN, M, WU, D, MENON, C, ZHANG, S.-L, ÖSTLING, M
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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