Solid-state graphitization mechanisms of silicon carbide 6H-SiC polar faces

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: FORBEAUX, I, THEMLIN, J.-M, CHARRIER, A, THIBAUDAU, F, DEBEVER, J.-M
Format: Tagungsbericht
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0169-4332
1873-5584