Specific behaviour of stress relaxation in GexSi1−x films grown on porous silicon based mesa substrates: computer calculations

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2003-01, Vol.18 (1), p.39-44
Hauptverfasser:	Novikov, P L, Bolkhovityanov, Yu B, Pchelyakov, O P, Romanov, S I, Sokolov, L V
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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