Detection of low-level copper contamination in p-type silicon by means of microwave photoconductive decay measurements

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Veröffentlicht in:	Journal of physics. Condensed matter 2002-12, Vol.14 (48), p.13119-13125
Hauptverfasser:	Yli-Koski, M, Palokangas, M, Haarahiltunen, A, Väinölä, H, Storgårds, J, Holmberg, H, Sinkkonen, J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Defects and impurities in crystals microstructure Doping and impurity implantation in germanium and silicon Exact sciences and technology Physics Structure of solids and liquids crystallography
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