Defect transition energies and the density of electronic states in hydrogenated amorphous silicon

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MENSING, G, GILLIGAN, J, HARI, P, HURT, E, LÜPKE, G, PANTELIDES, S, TOLK, N, TAYLOR, P. C
Format: Tagungsbericht
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0022-3093
1873-4812