Epitaxial lateral overgrowth of GaN: Interfaces and defects at atomic level

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. B. Basic research 2001, Vol.227 (1), p.1-43
Hauptverfasser:	BEAUMONT, B, VENNEGUES, Ph, GIBART, P
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Cross-disciplinary physics: materials science rheology Defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics Surfaces and interfaces thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Thin film structure and morphology Vacuum deposition
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:	0370-1972 1521-3951