Rf noise characteristics of high-k AlTiOx and Al2O3 gate dielectrics

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2002-07, Vol.149 (7), p.F69-F72
Hauptverfasser:	CHEN, S. B, HUANG, A. C. H, CHIN, Albert, LIN, J, JOU, J. P, SU, K. C, LIU, J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Dielectric, amorphous and glass solid devices Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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