Depth profiling in amorphous and microcrystalline silicon by transient photoconductivity techniques

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Veröffentlicht in:Journal of physics. Condensed matter 2002-07, Vol.14 (28), p.6909-6915, Article 302
Hauptverfasser: Brüggemann, R, Main, C, Reynolds, S
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0953-8984
1361-648X
DOI:10.1088/0953-8984/14/28/302