Electron Hall mobility in GaAsBi

We present measurements of the electron Hall mobility in n -type GaAs 1 − x Bi x epilayers. We observed no significant degradation in the electron mobility with Bi incorporation in GaAs, up to a concentration of 1.2%. At higher Bi concentration ( ≥ 1.6 % ) some degradation of the electron mobility w...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2009-08, Vol.106 (4), p.043705-043705-3
Hauptverfasser:	Kini, R. N., Bhusal, L., Ptak, A. J., France, R., Mascarenhas, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Basic Sciences CLASSICAL AND QUANTUM MECHANICS, GENERAL PHYSICS ELECTRON MOBILITY ELECTRONS MATERIALS SCIENCE SCATTERING SOLAR ENERGY
Online-Zugang:	Volltext
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