The growth of AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors by metalorganic chemical vapor deposition

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 2001-11, Vol.221 (1-4)
Hauptverfasser:	Lambert, D.J.H., Huang, J.J., Shelton, B.S., Wong, M.M., Chowdhury, U., Zhu, T.G., Kwon, H.K., Liliental-Weber, Z., Benarama, M., Feng, M., Dupuis, R.D.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY HETEROJUNCTIONS MATERIALS SCIENCE TRANSISTORS
Online-Zugang:	Volltext
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