Effect of Low γ-Radiation Doses on the Optical Properties of Porous Silicon

The possibility of modifying the photoluminescence properties of porous silicon by irradiation with low doses of γ photons from a 226 Ra radioisotope source and bremsstrahlung is demonstrated. The position of the longest photoluminescence wavelength tends to shift to the short-wavelength region of t...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2018-03, Vol.52 (3), p.331-334
Hauptverfasser:	Bilenko, D. I., Belobrovaya, O. Ya, Terin, D. V., Galushka, V. V., Galushka, I. V., Zharkova, E. A., Polyanskaya, V. P., Sidorov, V. I., Yagudin, I. T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Bremsstrahlung Composite Semiconductors Irradiation Magnetic Materials Magnetism MATERIALS SCIENCE Microcrystalline Nanocrystalline OPTICAL PROPERTIES Photoluminescence Photons Physics Physics and Astronomy Porous POROUS MATERIALS Porous silicon RADIATION DOSES RADIUM 226 SILICON Substrates
Online-Zugang:	Volltext
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