Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology

External control over the electron and hole wavefunctions geometry and topology is investigated in a p-i-n diode embedding a dot-in-a-well InAs/GaAsSb quantum structure with type II band alignment. We find highly tunable exciton dipole moments and largely decoupled exciton recombination and ionizati...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2015-11, Vol.107 (18)
Hauptverfasser:	Llorens, J. M., Wewior, L., Cardozo de Oliveira, E. R., Ulloa, J. M., Utrilla, A. D., Guzmán, A., Hierro, A., Alén, B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied physics Bias CLASSICAL AND QUANTUM MECHANICS, GENERAL PHYSICS DIPOLE MOMENTS ELECTRONS Excitons GEOMETRY HOLES INDIUM ARSENIDES Ionization L-S COUPLING Optical properties QUANTUM DOTS Quantum phenomena Rings (mathematics) SPIN TOPOLOGY WAVE FUNCTIONS
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!