Erratum: “Suppression of self-heating effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by substrate-transfer technology using h-BN” [Appl. Phys. Lett. 105 , 193509 (2014)]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2015-01, Vol.106 (4)
Hauptverfasser:	Hiroki, Masanobu, Kumakura, Kazuhide, Kobayashi, Yasuyuki, Akasaka, Tetsuya, Makimoto, Toshiki, Yamamoto, Hideki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	ALUMINIUM COMPOUNDS BORON NITRIDES CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY ELECTRON MOBILITY GALLIUM NITRIDES SUBSTRATES TRANSISTORS
Online-Zugang:	Volltext
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