Erratum: “Influence of boron doping and hydrogen passivation on recombination of photoexcited charge carriers in silicon nanocrystal/SiC multilayers” [J. Appl. Phys. 114 , 073101 (2013)]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2014-11, Vol.116 (18)
Hauptverfasser:	Kořínek, M., Schnabel, M., Canino, M., Kozák, M., Trojánek, F., Salava, J., Löper, P., Janz, S., Summonte, C., Malý, P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	BORON CHARGE CARRIERS CLASSICAL AND QUANTUM MECHANICS, GENERAL PHYSICS Current carriers HYDROGEN Hydrogen storage MATERIALS SCIENCE NANOSTRUCTURES PASSIVATION RECOMBINATION SILICON SILICON CARBIDES
Online-Zugang:	Volltext
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