Anisotropy of effective electron masses in highly doped nonpolar GaN

The anisotropic effective electron masses in wurtzite GaN are determined by generalized infrared spectroscopic ellipsometry. Nonpolar (112¯0) oriented thin films allow accessing both effective masses, m⊥* and m∥*, by determining the screened plasma frequencies. A n-type doping range up to 1.7 × 1020...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 2013-12, Vol.103 (23)
Hauptverfasser: Feneberg, Martin, Lange, Karsten, Lidig, Christian, Wieneke, Matthias, Witte, Hartmut, Bläsing, Jürgen, Dadgar, Armin, Krost, Alois, Goldhahn, Rüdiger
Format: Artikel
Sprache:eng
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