Exciton confinement in homo- and heteroepitaxial ZnO/Zn{sub 1-x}Mg{sub x}O quantum wells with x < 0.1
ZnO/Zn{sub 1-x}Mg{sub x}O single quantum well (SQW) structures with well widths d{sub W} between 1.1 nm and 10.4 nm were grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy both heteroepitaxially on c-plane sapphire and homoepitaxially on (0001)-oriented bulk ZnO. A significantly reduced Mg incorporatio...
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Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 2011-11, Vol.110 (9) |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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