Matrices of 960-nm vertical-cavity surface-emitting lasers
Matrices of vertical-cavity surface-emitting lasers with individual addressing of elements and radiation output through a gallium arsenide substrate are implemented. Individual laser emitters with a current aperture diameter of 6–7 μm exhibit continuous-wave room-temperature lasing at a wavelength o...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2011-06, Vol.45 (6), p.818-821 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!