Atomic-scale defects generated in the early/intermediate stages of dielectric breakdown in Si/SiO 2 transistors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2022-02, Vol.120 (6)
Hauptverfasser:	Moxim, Stephen J., Sharov, Fedor V., Hughart, David R., Haase, Gaddi S., McKay, Colin G., Lenahan, Patrick M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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