Temperature-dependent growth of hexagonal and monoclinic gallium sulfide films by pulsed-laser deposition

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	AIP advances 2020-10, Vol.10 (10)
Hauptverfasser:	Eriguchi, Kazutaka, Biaou, Carlos, Das, Sujit, Yu, Kin Man, Wu, Junqiao, Dubon, Oscar D.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	crystal structure heterostructures MATERIALS SCIENCE phase transitions pulsed laser deposition Semiconductor crystals semiconductor growth semiconductors thin film deposition
Online-Zugang:	Volltext
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