A CMOS Compatible, Forming Free TaOx ReRAM

Resistive random access memory (ReRAM) has become a promising candidate for next-generation high-performance non-volatile memory that operates by electrically tuning resistance states via modulating vacancy concentrations. We demonstrate a wafer-scale process for resistive switching in tantalum oxid...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ECS transactions 2013-08, Vol.58 (5), p.59-65
Hauptverfasser:	Lohn, Andrew J, Stevens, James E, Mickel, Patrick R, Hughart, David R, Marinella, Matthew J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	MATHEMATICS AND COMPUTING
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!