Defect-reduction mechanism for improving radiative efficiency in InGaN/GaN light-emitting diodes using InGaN underlayers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2015-04, Vol.117 (13)
Hauptverfasser:	Armstrong, Andrew M., Bryant, Benjamin N., Crawford, Mary H., Koleske, Daniel D., Lee, Stephen R., Wierer, Jonathan J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	solar (photovoltaic), solid state lighting, phonons, materials and chemistry by design, optics, synthesis (novel materials)
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