Influence of GaAs surface termination on GaSb/GaAs quantum dot structure and band offsets

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 2013-08, Vol.103 (8), p.82107
Hauptverfasser: Zech, E. S., Chang, A. S., Martin, A. J., Canniff, J. C., Lin, Y. H., Millunchick, J. M., Goldman, R. S.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0003-6951
1077-3118
DOI:10.1063/1.4818270