Void-mediated coherency-strain relaxation and impediment of cubic-to-hexagonal transformation in epitaxial metastable metal/semiconductor TiN / A l 0.72 S c 0.28 N multilayers

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review materials 2017-08, Vol.1 (3), Article 033402
Hauptverfasser:	Garbrecht, Magnus, Hultman, Lars, Fawey, Mohammed H., Sands, Timothy D., Saha, Bivas
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!