Study of V and Y Shape Frank-Type Stacking Faults Formation in 4H-SiC Epilayer
Nomarski optical microscopic, KOH etching and synchrotron topographic studies are presented of faint needle-like surface morphological features in 4H-SiC homoepitaxial layers. Grazing incidence synchrotron white beam x-ray topographs show V shaped features which transmission topographs reveal to enc...
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Veröffentlicht in: | Materials science forum 2014-02, Vol.778-780, p.332-337 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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