Effect of low dose -irradiation on DC performance of circular AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics Nanotechnology & microelectronics, 2014-01, Vol.32 (3)
Hauptverfasser:	Hwang, Ya-Hsi, Hsieh, Y.-L., Lei, L., Li, S., Ren, F., Pearton, S. J., Yadav, A., Schwarz, C., Shatkhin, M., Wang, L., Flitsiyan, E., Chernyak, L., Baca, A.g., Allerman, A.a., Sanchez, C.a., Kravchenko, Ivan I
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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