Enhancing crystallinity of C 60 layer by thickness-control of underneath pentacene layer for high mobility C 60 /pentacene ambipolar transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2013-01, Vol.102 (4)
Hauptverfasser:	Ahn, Kwangseok, Beom Kim, Jong, Park, Hyunjun, Kim, Hyunjung, Hyung Lee, Moo, Joon Kim, Beom, Ho Cho, Jeong, Sung Kang, Moon, Ryeol Lee, Dong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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