Influence of Parasitic Parameters on Switching Characteristics and Layout Design Considerations of SiC MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	JOURNAL OF POWER ELECTRONICS 2018-07, Vol.18 (4), p.1255-1267
Hauptverfasser:	Haihong Qin, Ceyu Ma, Ziyue Zhu, Yangguang Yan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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