Study of Bulk and Elementary Screw Dislocation Assisted Reverse Breakdown in Low-Voltage (< 250 V) 4H-SiC p(sup +)n Junction Diodes--Part II: Dynamic Breakdown Properties

Study of Bulk and Elementary Screw Dislocation Assisted Reverse Breakdown in Low-Voltage (< 250 V) 4H-SiC p(sup +)n Junction Diodes--Part II: Dynamic Breakdown Properties

This paper outlines the dynamic reverse-breakdown characteristics of low-voltage (

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 1999-03, Vol.46 (3)
Hauptverfasser: Neudeck, Philip G., Fazi, Christian
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Electronics And Electrical Engineering
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:This paper outlines the dynamic reverse-breakdown characteristics of low-voltage (
ISSN:0018-9383
DOI:10.1109/16.748866