B2-1 Ga-Al-As半導体レーザー照射による内因性オピオイド誘導の可能性

【はじめに】Ga-Al-As(以下GAA)半導体レーザー照射による疼痛緩和のメカニズムについては多くの報告がある. 炎症性疼痛への効果に, 内因性オピオイドが関与しているのではないかとの仮説をたて研究した. 【対象および方法】実験1)ヒト白血病T細胞を用いて, GAAレーザー照射による内因性オピオイド産生の検討, 実験2)ラット足底炎症性疼痛モデルを用いてレーザー照射による鎮痛効果の検討, を行った. 【結果】実験1で, ヒトJurkat細胞へのGAAレーザー1000mW 5分間照射で, proopiomelanocortinの産生が確認された. 実験2で, ラット炎症足底へのレーザー照射後に鎮痛効果が得られ, これはナロキソンで拮抗された. さらに炎症部位に集積した炎症細胞のbeta-endorphin産生が増加していることを免疫組織学的に確認した. 【まとめ】GAA半導体レーザー照射の鎮痛効果のメカニズムの一つに, 内因性オピオイドであるbeta-endorphinによる末梢性オピオイド鎮痛が関与していると考えられた.