A New Method for Extracting Interface Trap Density in Short-Channel MOSFETs from Substrate-Bias-Dependent Subthreshold Slopes
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | ETRI journal 1993-10, Vol.15 (2), p.10-25 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | kor |
| Online-Zugang: | Volltext |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!